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Wednesday, February 28, 2018

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实时更新 2018年3月1日
新闻
SanDisk 表示,他们本可以把这张应用了Western Digital 专利的3D NAND 技术的记忆卡做成更快的UHS-II 规格,可是因为市场上能兼容的装置数目不多,所以宁可在UHS-I 的规格下,进一步提升其速度。据他们内部的测试结果,这张新卡还有着承受冲击、极端温度、防水、防X 光的强固性,即使用于无人机、潜水、 ...
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